• <fieldset id="82iqi"></fieldset>
    <tfoot id="82iqi"><input id="82iqi"></input></tfoot>
  • 
    <abbr id="82iqi"></abbr><strike id="82iqi"></strike>
  • 無需EUV光刻機 鎧俠新NIL工藝直奔5nm

    據日媒報道, 日本鎧俠自2017年開始與半導體設備廠佳能,以及光罩、模板等半導體零組件制造商DNP合作,在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內研發納米壓印微影技術(NIL)的量產技術,目前鎧俠已經掌握了15nm的量產技術,并正在向15nm以下的工藝研發,預計2025年開始生產


    相比于目前已實用化的極紫外光(EUV)工藝而言,NIL工藝不使用EUV光刻機,降低了設備投入成本,并且耗能更低,據稱NIL的耗電量可壓低至EUV生產方式的10%,并讓設備投資降低至40%。但是NIL在量產上仍有不少問題有待解決,包括更容易因細微塵埃而形成瑕疵等的問題。

    鎧俠表示,已解決NIL的基本技術問題,正在完善量產技術,希望能率先引入NAND生產。而根據DNP說法,NIL技術電路精細程度可達5nm,DNP將從2021年春季起,根據設備的規格進行內部仿真。