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  • 三星推出業界首款HBM2E內存產品 速度提升33% 容量翻倍

    在英偉達的GTC 2019大會上,三星發布了新的Flashbolt高帶寬內存(HBM),據稱是業界首款符合HBM2E規范的內存產品。

    IT之家獲悉,新一代產品將每個針腳的帶寬提高33%——從2.4Gbps提高到3.2Gbps;此外,每個芯片的容量也翻了一倍,達到16Gb。據此,1024位總線的Flashbolt封裝,可以在8-Hi堆棧配置中提供高達410GB/s的帶寬和16GB的容量。

    三星的目標是將這些產品用在下一代數據中心、AI/ML(人工智能/機器學習)和圖形應用程序上。

    目前三星尚未宣布HBM2E產品量產計劃,但是Flashbolt未來有望進入下一代7nm GPU。