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    有了這項(xiàng)技術(shù)：爆顯存成過去式
    
                
    
                  來源：驅(qū)動(dòng)之家
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                  2019-10-08 14:47:17
                
    
              
    
              
    
			  
                
    10月7日，三星電子宣布率先在業(yè)內(nèi)開發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術(shù)。
    

    隨著集成電路規(guī)模的擴(kuò)大，如何在盡可能小的面積內(nèi)塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn)，其中多芯片堆疊封裝被認(rèn)為是希望之星。三星稱，他們得以將12片DRAM芯片通過60000個(gè)TSV孔連接，每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20。
    

    總的封裝厚度為720μm，與當(dāng)前8層堆疊的HBM2存儲(chǔ)芯片相同，體現(xiàn)了極大的技術(shù)進(jìn)步。
    

    

    這意味著，客戶不需要改動(dòng)內(nèi)部設(shè)計(jì)就可以獲得更大容量的芯片。同時(shí)，3D堆疊也有助于縮短數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)間。
    

    

    三星透露，基于12層3D TSV技術(shù)的HBM存儲(chǔ)芯片將很快量產(chǎn)，單片容量從目前的8GB來到24GB。
    

    
              
    
			  
              
    
                                
    
              
    
                
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