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  • 全球最先進3nm晶圓廠塵埃落定 879億投資

    隨著三星加快7nm EUV工藝量產,臺積電領先了一年的7nm先進工藝今年會迎來激烈競爭,IBM、NVIDIA以及高通都要加入三星的7nm EUV陣營了。

    在先進工藝路線圖上,臺積電的7nm去年量產,7nm EUV工藝今年量產,海思麒麟985、蘋果A13處理器會是首批用戶,明年則會進入5nm節點,2021年則會進入3nm節點,最終在2022年規模量產3nm工藝。

    全球最先進3nm晶圓廠塵埃落定4000億投資

    臺積電從去年就開始啟動3nm晶圓廠的建設工作,由于晶圓廠對水力、電力資源要求很高,初期的環評工作很嚴格,今天臺灣環保部門公布了臺積電3nm晶圓廠的專案初審,通過了新竹科學園區有過寶山用地的申請,這意味著臺積電的3nm晶圓廠最終落地在新竹園區。

    根據臺積電之前的資料,整個3nm晶圓廠預計會在2020年正式動工建設,耗資超過4000億新臺幣,折合879億人民幣或者130億美元。

    由于摩爾定律逐漸到了物理極限,3nm被認為是最后的一代硅基半導體工藝,因為1nm節點會遭遇嚴重的干擾。為了解決這個問題,三星宣布在3nm節點使用GAA環繞柵極晶體管工藝,通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。

    與三星相比,臺積電并沒有公布過3nm工藝的具體技術細節,預計也會改用全新結構的晶體管工藝,只不過目前尚無明確消息。