ATP自造8Gb DDR3內(nèi)存顆粒:將持續(xù)供應(yīng)
隨著整個(gè)行業(yè)已經(jīng)全面轉(zhuǎn)向DDR4內(nèi)存,不少?gòu)S商都陸續(xù)停產(chǎn)了DDR3,并準(zhǔn)備好了迎接DDR5,但對(duì)于很多特殊用戶(hù),尤其是網(wǎng)絡(luò)和嵌入式領(lǐng)域,仍然對(duì)DDR3有著強(qiáng)勁且持續(xù)的需求。
工業(yè)內(nèi)存存儲(chǔ)廠商ATP Electronics今天宣布了自己研發(fā)的高密度8Gb DDR3顆粒,并承諾會(huì)確保DDR3內(nèi)存的持續(xù)供應(yīng)。
ATP這種內(nèi)存采用了精心挑選和測(cè)試的高質(zhì)量IC,采用2xnm工藝制造,整個(gè)模組也經(jīng)歷了廣泛和深度的測(cè)試驗(yàn)證,并且不存在Row Hammer漏洞,不會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)泄露。
該內(nèi)存提供多種規(guī)格可選,1CS單芯片封裝的支持DIMM、SO-DIMM、Mini-DIMM規(guī)格,容量16GB,頻率1600MHz,2CS雙芯片封裝的有16/32GB 1333/1600MHz DIMM、8GB 1600MHz Mini-DIMM,都可選是否支持ECC。
不過(guò)由于主要針對(duì)行業(yè)用戶(hù),ATP DDR3內(nèi)存不會(huì)出現(xiàn)在零售市場(chǎng)上。
2018年9月,ATP曾與美光簽署合作協(xié)議,在美光停產(chǎn)DDR2 SO-DIMM、UDIMM、RDIMM內(nèi)存之后,自己繼續(xù)生產(chǎn)DDR2內(nèi)存,更早還獲得了美光SDR、DDR內(nèi)存模組的制造授權(quán)。