當(dāng)今世界上的計(jì)算機(jī)都是基于馮·諾依曼結(jié)構(gòu)，一臺(tái)計(jì)算機(jī)必須包含運(yùn)算器、控制器、存儲(chǔ)器和輸入、輸出設(shè)備五個(gè)部分，存儲(chǔ)器又可分為內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器，內(nèi)存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單理解為CPU里面的緩存和插主板上的內(nèi)存，而外存儲(chǔ)器則是硬盤、U盤、軟盤等，內(nèi)存和硬盤對(duì)于一臺(tái)當(dāng)今的PC來(lái)說(shuō)是不可或缺的部件。

內(nèi)存在PC中是一個(gè)巨大的緩沖區(qū)，CPU所需訪問(wèn)與處理的數(shù)據(jù)都會(huì)經(jīng)過(guò)這里，雖說(shuō)CPU內(nèi)部也有各級(jí)緩存，但是容量空間是無(wú)法與內(nèi)存相比的，隨著CPU的處理能力不斷的提高，內(nèi)存的速度與容量也在不斷的提升，每隔幾年就會(huì)更新?lián)Q代，下面我們就一起來(lái)了解一下內(nèi)存條的發(fā)展歷史。

古老的SIMM時(shí)代

其實(shí)在最初的個(gè)人電腦上是沒(méi)有內(nèi)存條的，內(nèi)存是直接以DIP芯片的形式安裝在主板的DRAM插座上面，需要安裝8到9顆這樣的芯片，容量只有64KB到256KB，要擴(kuò)展相當(dāng)困難，但這對(duì)于當(dāng)時(shí)的處理器以及程序來(lái)說(shuō)這已經(jīng)足夠了，直到80286的出現(xiàn)硬件與軟件都在渴求更大的內(nèi)存，只靠主板上的內(nèi)存已經(jīng)不能滿足需求了，于是內(nèi)存條就誕生了。

遠(yuǎn)古的30pin SIPP (Single In-line Pin Package)接口，針腳的定義其實(shí)與30pin SIMM一樣的

SIPP很快就被SIMM(Single In-line Memory Modules)取代了，兩側(cè)金手指?jìng)鬏斚嗤男盘?hào)，早期的內(nèi)存頻率與CPU外頻是不同步的，是異步DRAM，細(xì)分下去的話包括FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM)與EDO DRAM(Extended data out DRAM)，常見(jiàn)的接口有30pin SIMM與72pin SIMM，工作電壓都是5V。

從上到下分別是30pin SIMM、蘋果的64pin SIMM與72pin SIMM

第一代SIMM內(nèi)存有30個(gè)引腳，單根內(nèi)存數(shù)據(jù)總線只有8bit，所以用在16位數(shù)據(jù)總線處理器上(286、386SX等)就需要兩根，用在32位數(shù)據(jù)總線處理器上(386DX、486等)就需要四根30pin SIMM內(nèi)存，采購(gòu)成本一點(diǎn)都不低，而且還會(huì)增加故障率，所以30pin SIMM內(nèi)存并不是完全被大家所接受。

有趣的是DIP芯片形式的內(nèi)存與內(nèi)存條共存了一段比較長(zhǎng)的時(shí)間，在不少286的主板上你可以同時(shí)看到DIP內(nèi)存芯片與30pin SIMM內(nèi)存插槽，它們是可以一齊工作的。

隨后誕生了72pin SIMM內(nèi)存，單根內(nèi)存位寬增加到32位，一根就可以滿足32位數(shù)據(jù)總線處理器，擁有64位數(shù)據(jù)總線的奔騰處理器則需要兩根，內(nèi)存容量也有所增加，它的出現(xiàn)很快就替代了30pin SIMM內(nèi)存，386、486以及后來(lái)的奔騰、奔騰Pro、早期的奔騰II處理器多數(shù)會(huì)用這種內(nèi)存。

FPM DRAM

30pin FPM DRAM

FPM DRAM是從早期的Page Mode DRAM上改良過(guò)來(lái)的，當(dāng)它在讀取同一列數(shù)據(jù)是，可以連續(xù)傳輸行位址，不需要再傳輸列位址，可讀出多筆資料，這種方法當(dāng)時(shí)是很先進(jìn)的，不過(guò)現(xiàn)在看來(lái)就很沒(méi)效率。

FPM DRAM有30pin SIMM和72pin SIMM兩種，前者常見(jiàn)于286、386和486的電腦上，后者則常見(jiàn)于486與早期型的奔騰電腦上，30pin的常見(jiàn)容量是256KB，72pin的容量從512KB到2MB都有。

EDO DRAM

比較少見(jiàn)的168pin EDO內(nèi)存，通常都用在服務(wù)器上

其實(shí)也是72pin SIMM的一種，它擁有更大的容量和更先進(jìn)的尋址方式，這種內(nèi)存簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)訪問(wèn)的流暢，讀取速度要FPM DRAM快不少，主要用在486、奔騰、奔騰Pro、早期的奔騰II處理器的電腦上面，本人第一臺(tái)電腦486上面就插著兩條8MB的EDO內(nèi)存。

在1991到1995年EDO內(nèi)存盛行的時(shí)候，憑借著制造工藝的飛速發(fā)展，EDO內(nèi)存在成本和容量上都有了很大的突破，單條EDO內(nèi)存容量從4MB到16MB不等，數(shù)據(jù)總線依然是32位，所以搭配擁有64位數(shù)據(jù)總線的奔騰CPU時(shí)基本都成對(duì)的使用。

SDR SDRAM內(nèi)存

然而隨著CPU的升級(jí)EDO內(nèi)存已經(jīng)不能滿足系統(tǒng)的需求了，內(nèi)存技術(shù)也發(fā)生了大革命，插座從原來(lái)的SIMM升級(jí)為DIMM(Dual In-line Memory Module)，兩邊的金手指?jìng)鬏敳煌臄?shù)據(jù)，SDR SDRAM內(nèi)存插座的接口是168Pin，單邊針腳數(shù)是84，進(jìn)入到了經(jīng)典的SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)時(shí)代。

SDRAM其實(shí)就是同步DRAM的意思，內(nèi)存頻率與CPU外頻同步，這大幅提升了數(shù)據(jù)傳輸效率，再加上64bit的數(shù)據(jù)位寬與當(dāng)時(shí)CPU的總線一致，只需要一根內(nèi)存就能讓電腦正常工作了，這降低了采購(gòu)內(nèi)存的成本。

第一代SDR SDRAM頻率是66MHz，通常大家都稱之為PC66內(nèi)存，后來(lái)隨著Intel與AMD的CPU的頻率提升相繼出現(xiàn)了PC100與PC133的SDR SDRAM，還有后續(xù)的為超頻玩家所準(zhǔn)備的PC150與PC166內(nèi)存，SDR SDRAM標(biāo)準(zhǔn)工作電壓3.3V，容量從16MB到512MB都有。

SDR SDRAM的存在時(shí)間也相當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)，Intel從奔騰2、奔騰3與奔騰4(Socket 478)，以及Slot 1、Socket 370與Socket 478的賽揚(yáng)處理器，AMD的K6與K7處理器都可以SDR SDRAM。

從1999年開(kāi)始AMD推出K7架構(gòu)，到2000年Intel推出奔騰4處理器，兩家處理器的FSB都在不斷攀升，只有133MHz的SDR SDRAM根本無(wú)法滿足這個(gè)帶寬需求，至于誰(shuí)是它的繼任者，Rambus DRAM與DDR SDRAM展開(kāi)了一場(chǎng)大戰(zhàn)。

Rambus DRAM內(nèi)存

在選擇SDR SDRAM的繼任者的時(shí)候Intel選擇了與Rambus合作并推出了Rambus DRAM內(nèi)存，通常都會(huì)被簡(jiǎn)稱為RDRAM，它與SDRAM不同，采用了新的高速簡(jiǎn)單內(nèi)存架構(gòu)，基于RISC理論，這樣可以減少數(shù)據(jù)復(fù)雜性提高整個(gè)系統(tǒng)的性能。

RDRAM采用RIMM插槽，184pin，總線位寬16bit，插兩條組建雙通道時(shí)就是32bit，工作電壓2.5V，當(dāng)時(shí)的頻率有600、700、800、1066MHz等。

這款內(nèi)存通常都是用在Socket 423的奔騰4平臺(tái)上，搭配Intel 850芯片組使用，然而大家都應(yīng)該清楚Socket 423的奔騰4是多么的悲劇，頻率高效率低的奔騰4被AMD K7+DDR內(nèi)存的組合打得滿地找牙，再加上RDRAM的制造成本高，很多內(nèi)存廠都沒(méi)有興趣，這直接導(dǎo)致RDRAM的零售價(jià)居高不下，奔騰4平臺(tái)的成本相對(duì)高，消費(fèi)者也不買單，最終就是導(dǎo)致RDRAM完敗于DDR SDRAM，最終Intel拋棄RDRAM投奔到DDR陣營(yíng)。

DDR內(nèi)存

DDR內(nèi)存的正式名字是DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)，顧名思義就是雙倍速率SDRAM，從名字上就知道它是SDR SDRAM的升級(jí)版，DDR SDRAM在時(shí)鐘周期的上升沿與下降沿各傳輸一次信號(hào)，使得它的數(shù)據(jù)傳輸速度是SDR SDRAM的兩倍，而且這樣做還不會(huì)增加功耗，至于定址與控制信號(hào)與SDR SDRAM相同，僅在上升沿傳輸，這是對(duì)當(dāng)時(shí)內(nèi)存控制器的兼容性與性能做的折中。

DDR SDRAM采用184pin的DIMM插槽，防呆缺口從SDR SDRAM時(shí)的兩個(gè)變成一個(gè)，常見(jiàn)工作電壓2.5V，初代DDR內(nèi)存的頻率是200MHz，隨后慢慢的誕生了DDR-266、DDR-333和那個(gè)時(shí)代主流的DDR-400，至于那些運(yùn)行在500MHz、600MHz、700MHz的都算是超頻條了，DDR內(nèi)存剛出來(lái)的時(shí)候只有單通道，后來(lái)出現(xiàn)了支持雙通芯片組，讓內(nèi)存的帶寬直接翻倍，兩根DDR-400內(nèi)存組成雙通道的話基本上可以滿足FBS 800MHz的奔騰4處理器，容量則是從128MB到1GB。

DDR內(nèi)存在對(duì)RDRAM的戰(zhàn)爭(zhēng)中取得了完全勝利，所以相當(dāng)多的主板廠家都選擇推出支持DDR內(nèi)存的芯片組，當(dāng)時(shí)的主板市場(chǎng)可是相當(dāng)?shù)臒狒[，并不只有Intel與AMD兩個(gè)在單挑，還有NVIDIA、VIA、SiS、ALI、ATI等廠家，所以能用DDR內(nèi)存的CPU也相當(dāng)?shù)亩啵琒ocket 370的奔騰3與賽揚(yáng)，Socket 478與LGA 775的奔騰4、奔騰D、賽揚(yáng)4、賽揚(yáng)D，只要你想酷睿2其實(shí)也可以插到部分865主板上用DDR內(nèi)存，AMD的話Socket A接口的K7與Socket 939、Socket 754的K8架構(gòu)產(chǎn)品都是可以用DDR內(nèi)存的。

DDR2內(nèi)存

在DDR內(nèi)存戰(zhàn)勝了RDRAM之后就開(kāi)啟了DDR王朝，就如大家所知道的，后續(xù)的都是DDR的衍生產(chǎn)品，DDR2內(nèi)存在2004年6月與Intel的915/925主板一同登場(chǎng)，伴隨了大半個(gè)LGA 775時(shí)代，而AMD的K8架構(gòu)由于把內(nèi)存控制器整合在CPU內(nèi)部，要把內(nèi)存控制器改成DDR2的比Intel麻煩得多，直到2006年6月AM2平臺(tái)推出才開(kāi)始支持DDR2內(nèi)存，估計(jì)現(xiàn)在還有些用DDR2內(nèi)存的電腦在服役吧。

DDR和DDR2的關(guān)鍵區(qū)別是：DDR2內(nèi)存單元的核心頻率是等效頻率的1/4(而不是1/2)。這需要一個(gè)4-bit-deep的預(yù)取隊(duì)列，在并不用改變內(nèi)存單元本身的情況下，DDR2能有效地達(dá)到DDR數(shù)據(jù)傳輸速度的兩倍，此外DDR2融入了CAS、OCD、ODT技術(shù)規(guī)范和中斷指令，運(yùn)行效率更高。

DDR2內(nèi)存的金手指數(shù)比DDR多，DDR2有240個(gè)金手指，DDR只有184個(gè)，兩者的防呆缺口位置防止用戶差錯(cuò)插槽，有一個(gè)比較容易從外觀上區(qū)分DDR與DDR2內(nèi)存的方法，就是DDR內(nèi)存是采用TSSOP封裝的，而DDR2內(nèi)存是用BGA封裝的，看內(nèi)存芯片就能分清楚兩者。

DDR2的標(biāo)準(zhǔn)電壓下降至1.8V，這使得它較上代產(chǎn)品更為節(jié)能，DDR2的頻率從400MHz到1200MHz，當(dāng)時(shí)的主流的是DDR2-800，更高頻率其實(shí)都是超頻條，容量從256MB起步最大4GB，不過(guò)4GB的DDR2是很少的，在DDR2時(shí)代的末期大多是單條2GB的容量。

DDR3內(nèi)存

DDR3內(nèi)存隨著Intel在2007年發(fā)布3系列芯片組一同到來(lái)的，至于AMD支持DDR3內(nèi)存已經(jīng)是2009年2月的AM3平臺(tái)發(fā)布的時(shí)候，直到現(xiàn)在他依然還是市場(chǎng)的主流。

然而直到2008年11月推出x58平臺(tái)徹底拋棄DDR2的時(shí)候DDR3其實(shí)還不算是市場(chǎng)主流，在LGA 775平臺(tái)上消費(fèi)者大多數(shù)依然會(huì)選擇DDR2，歸咎原因主要還算初期DDR3的頻率偏低只有1066MHz，而那時(shí)候高端DDR2也是能達(dá)到這個(gè)頻率的，而且同頻下DDR2的性能更好，價(jià)格更低，所以剛上市那兩年DDR3其實(shí)不怎么受歡迎，直到后來(lái)DDR3的價(jià)格降下來(lái)，頻率提到DDR2觸碰不到1333MHz時(shí)才開(kāi)始普及，這種現(xiàn)象其實(shí)在每次內(nèi)存更新?lián)Q代的時(shí)候都會(huì)有。

和上一代的DDR2相比，DDR3在許多方面作了新的規(guī)范，核心電壓降低到1.5V，預(yù)取從4-bit變成了8-bit，這也是DDR3提升帶寬的關(guān)鍵，同樣的核心頻率DDR3能夠提供兩倍于DDR2的帶寬，此外DDR3還新增了CWD、Reset、ZQ、STR、RASR等技術(shù)。

DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過(guò)兩者的防呆缺口位置是不同的，不能混插，常見(jiàn)的容量是512MB到8GB，當(dāng)然也有單條16GB的DDR3內(nèi)存，只不過(guò)很稀少。頻率方面從800MHz起步，目前比較容量買到最高的頻率是2400MHz，實(shí)際上有廠家推出了3100MHz的DDR3內(nèi)存，只是比較難買得到，支持DDR3內(nèi)存的平臺(tái)有Intel的后期的LGA 775主板P35、P45、x38、x48等，LGA 1366平臺(tái)，LGA 115x系列全都支持還有LGA 2011的x79，AMD方面AM3、AM3+、FM1、FM2、FM3接口的產(chǎn)品全都支持DDR3。

DDR4內(nèi)存

DDR4在2014年登場(chǎng)的時(shí)候并沒(méi)有重走DDR3發(fā)布的舊路，首款支持DDR4內(nèi)存的是Intel旗艦級(jí)的x99平臺(tái)，DDR4初登場(chǎng)的時(shí)候其實(shí)與高頻DDR3沒(méi)啥性能與價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)，然而x99只支持DDR4內(nèi)存，想用旗艦平臺(tái)你也只能硬啃貴價(jià)內(nèi)存，當(dāng)然那些選擇旗艦平臺(tái)的玩家不會(huì)介意這些，DDR4內(nèi)存真正走向大眾其實(shí)已經(jīng)是2015年8月Intel發(fā)布Skylake處理器與100系列主板之后的事情了。

從DDR1到DDR3，每一代DDR技術(shù)的內(nèi)存預(yù)取位數(shù)都會(huì)翻倍，前三者分別是2bit、4bit及8bit，以此達(dá)到內(nèi)存帶寬翻倍的目標(biāo)，不過(guò)DDR4在預(yù)取位上保持了DDR3的8bit設(shè)計(jì)，因?yàn)槔^續(xù)翻倍為16bit預(yù)取的難度太大，DDR4轉(zhuǎn)而提升Bank數(shù)量，它使用的是Bank Group(BG)設(shè)計(jì)，4個(gè)Bank作為一個(gè)BG組，可自由使用2-4組BG，每個(gè)BG都可以獨(dú)立操作。使用2組BG的話，每次操作的數(shù)據(jù)就是16bit，4組BG則能達(dá)到32bit操作，這其實(shí)變相提高了預(yù)取位寬。

DDR4內(nèi)存的針腳從DDR3的240個(gè)提高到了284個(gè)，防呆缺口也與DDR3的位置不同，還有一點(diǎn)改變就是DDR4的金手指是中間高兩側(cè)低有輕微的曲線，而之前的內(nèi)存金手指都是平直的，DDR4既在保持與DIMM插槽有足夠的信號(hào)接觸面積，也能在移除內(nèi)存的時(shí)候比DDR3更加輕松。

DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)電壓是1.2V，頻率從2133MHz起步，目前最高是4200MHz，單條容量有4GB、8GB和16GB，目前已經(jīng)很大程度的取代了DDR3，新的主板已經(jīng)很少會(huì)提供DDR3內(nèi)存插槽了，徹底進(jìn)入到DDR4的時(shí)代只是時(shí)間的問(wèn)題。

展望未來(lái)的DDR5

現(xiàn)在DDR4還沒(méi)普及談DDR5可能有點(diǎn)早，DDR5內(nèi)存目前還在研發(fā)階段，尚未有具體規(guī)范，所以廠商公布的很多規(guī)格都不是確定的，其目標(biāo)是相比DDR4內(nèi)存至少帶寬翻倍，容量更大，同時(shí)更加節(jié)能，具體來(lái)說(shuō)就是數(shù)據(jù)頻率從目前1.6-3.2Gbps的水平提升到3.2-6.4Gbps，預(yù)取位寬從8bit翻倍到16bit，內(nèi)存庫(kù)提升到16-32個(gè)。至于電壓，DDR4電壓已經(jīng)降至1.2v，DDR5有望降至1.1v或者更低。

在三星討論的DDR5內(nèi)存規(guī)范中，其目標(biāo)跟美光基本一致，也是帶寬至少翻倍，預(yù)取位寬也會(huì)翻倍，不過(guò)內(nèi)存庫(kù)數(shù)量還是16個(gè)，與美光公布的數(shù)據(jù)略有不同。

不過(guò)在時(shí)間點(diǎn)上，業(yè)界還是有一定共識(shí)的——DDR5預(yù)計(jì)在2017年完成規(guī)范制定，2018年出樣，2019年開(kāi)始生產(chǎn)，不過(guò)要普及的話估計(jì)至少是2020年的事了。